ナノチューブ/フラーレン/グラフェン

Graphene On Silicon:Si基板上に成長したGrapheneのAtomistix ToolKitによる電気伝導特性解析

SiC(シリコンカーバイト)基盤表面を真空加熱することで表面のSiを昇華させ、表面を炭化することにより、SiC表面上に生成された単層Grapheneは、Graphene-On-Silicon(GOS)構造と呼ばれています。GOSは実際のデバイス作成プロセスへの適用が容易と考えられ、工業的なグラフェンデバイス作成手法の候補として注目されています。
本事例では、GOSモデル構造での電気伝導特性解析を2010年7月にリリースされたAtomistix ToolKit 10.8を用いて行いました。
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点欠陥を持つグラフェンナノリボンの電気伝導特性

Zigzag端を持つGNRの中央部分に点欠陥が存在する場合の電気伝導特性をAtomistix ToolKitを用いて解析した事例を紹介いたします。
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ガス・センサーとしてのナノチューブ

Virtual NanoLabを使ってカーボンナノチューブの伝導特性の計算を行った事例をご紹介します。
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Virtual NanoLabによるグラフェンナノリボン構造の作成

Atomistix ToolKit及びVirtual NanoLabは、グラフェンナノリボンの電気伝導特性の解析に適用することが可能です。ここでは、Virtual NanoLabを用いたグラフェンナノリボン構造の作成方法をご紹介いたします。
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ねじれ構造を持つGraphene Sheetの電気伝導特性

ATKを用いてarmchairタイプの端をもつGraphene Sheetの電気伝導特性を解析した事例を紹介します。特に、ねじれた構造を持ったときにその電気伝導特性がどのように変化するかに関して調査しました。
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非平衡定常状態におけるナノチューブの吸着原子に働く力

東京理科大学のY. Girard様他は、Atomistix ToolKitを用いて定常電流が流れる(5,5)ナノチューブに吸着した原子に働く力を計算されました。その結果、力の発生起源が力の方向によって本質的に異なることが明らかになりましたので紹介します。
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金電極に架橋されたSc2C2@C84の透過固有状態

ATKには、透過固有値および透過固有状態を計算するための関数があります。透過固有値および透過固有状態のケーススタディーとして「金電極に架橋されたSc2C2@C84の透過固有状態」の計算事例をご紹介いたします。
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カーボンナノチューブを用いた異種電極2プローブ系

ATKは異種電極2プローブ系の電気伝導特性を計算することができます。ここでは、異種電極2プローブ系の具体例を示すことを目的として、カーボンナノチューブ(CNT)を用いた異種電極2プローブ系のモデルを2種類作成しましたので、計算結果と併せて紹介します。
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ナノチューブ-ナノチューブ キャパシタンス

TranSIESTA-Cにより、電気的な結合だけでなく静電容量的な結合の研究が可能になりました。
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金属 -ナノチューブ- 接合

J. Taylor と H. Guo,による新しい設計により今後のTranSIESTA-Cのバージョンでは、ナノチューブ-金属接続のような、非対称構造の研究を可能にします。
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金属-ナノチューブ-金属 接合

カーボン・ナノチューブにおける重要な問題の一つに良い金属コンタクトを得るという問題があります。この研究において、異なる金属コンタクトが調査されました。不備な金属コンタクトでは電流の減少が顕著になります。
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ナノチューブ内の電子輸送

TranSIESTA-Cは、ナノチューブにおいて欠陥(defect)が電気的特性に影響を与える効果の研究に理想的なものです。
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