分子エレクトロニクス

Atomistix ToolKitを用いた、エレクトロマイグレーションによるコンダクタンス変化の解析

バージョン10.8から有限バイアス下における構造緩和計算機能が正式に実装されました。
本事例では、その一例として、金電極―ターフェニルジチオール―金電極におけるエレクトロマイグレーションによるコンダクタンス変化の解析結果を紹介いたします。
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誘電体に囲まれたシリコンナノワイヤーの電気伝導特性

金電極に架橋されたシリコンナノワイヤーをモデリングし、シリコンナノワイヤーの周りを誘電体で囲いました。そして、誘電体の誘電率を変化させたときに電気伝導特性に生じる変化を解析しました。
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金電極間に架橋されたアルカンジチオールの電気伝導特性
k点サンプリングの重要性

Atomistix ToolKitでは、輸送方向と垂直な2方向に関して周期境界条件をとります。そのため、その2方向に関してk点サンプリングを行う必要があります。本計算事例では、k点サンプリングを充分密にとる必要がある例として金電極間に架橋されたアルカンジチオールの電気伝導特性を紹介します。
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電極間に架橋されたπ共役分子の電気伝導特性

松下電器産業株式会社の豊田様他は、TranSIESTA-Cを用いて金属間に架橋されたナフタレンの電気伝導特性を計算されました。その結果、ナフタレンのπ軌道と電極間の相互作用が電気伝導特性に本質的に寄与していることが示されました。
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金電極に架橋されたSc2C2@C84の透過固有状態

ATKには、透過固有値および透過固有状態を計算するための関数があります。透過固有値および透過固有状態のケーススタディーとして「金電極に架橋されたSc2C2@C84の透過固有状態」の計算事例をご紹介いたします。
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酸素気体下にあるAgナノチェーンの特性

ATK 2.0を用いて実行されたAgナノチェーン+酸素気体からなる系の伸長過程シミュレーション及び電気伝導解析の研究成果をご紹介します。
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金属-ナノチューブ-金属 接合

カーボン・ナノチューブにおける重要な問題の一つに良い金属コンタクトを得るという問題があります。この研究において、異なる金属コンタクトが調査されました。不備な金属コンタクトでは電流の減少が顕著になります。
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分子スイッチのモデリング

TranSIESTA-Cソフトウエアにより分子の電気的特性をモデル化できました。そして異なるサイドグループの役割についての新しい検知が得られました。
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Aviram-Ratner ダイオードのモデリング

Donor-insulator-Acceptor (DσA) 分子ダイオードはAviram と Ratnerにより 1974年に提案されました。これは分子エレクトロニクスにおける古典的な素子です。
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